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道夫·弗罗曼于1971年发明了EPROM并申请了专利。
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EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明,是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的(非挥发性)。它是一组浮栅晶体管,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。
通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
影驰2020年9月6日宣布,正式推全新的金属大师系列DDR4内存,出采用高级银灰色金属外观。 这也是显卡之后,影驰金属大师家族的第二个系列产品。
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金属大师DDR4内存搭配高品质铝合金冲压工艺打造的凹凸台阶面,整体视觉棱角分明,同时兼具细腻质感,再加上导热硅胶,散热也极为高效。内部为8层黑色哑面的PCB,稳固耐用,信号传输稳定无损耗。
内部为8层黑色哑面的PCB,稳固耐用,信号传输稳定无损耗。
精心挑选稳定的DRAM IC颗粒,单条容量8GB、16GB,频率均有2666MHz、3000MHz,对应时序和电压前者为19-19-19-43、1.2V,后者为16-18-18-38、1.35V。
HOF 名人堂系列是影驰最高端的产品线。这不仅仅源于其一直坚持使用白化的PCB和外观,还在于其对性能的高要求,从内存颗粒到超频性能都是市面上顶级水平的。而这次HOF EXTREME的升级之处也在于其使用了最新的三星B-Die颗粒,带来更强悍的超频能力,同时经典的10层PCB也得以保留,电信号之间干扰更少,电气性能更好,更加利于极限超频。
相比2018年旧款,新版HOF EXTREME内存采用陶瓷白镜面,还原陶瓷温润质感,边缘CNC切割处理。移除了“Extreme Performance”的镭雕字样,整体视觉更加简约。
其采用2毫米厚的铝质散热马甲紧贴内存颗粒,单条容量8GB,配合顶部大面积的多锯齿状散热鳍片,提供高效的被动散热。
内存颗粒优选大名鼎鼎的三星B-Die,搭配升级的10层加强版白色A2 PCB,除了有更好的电气布局外,还带有专属的名人堂LOGO。
频率方面,在旧版3600MHz、4000MHz两种频率基础上,又新增了4266MHz、4400MHz两种超高频率,时序则进一步升级和优化,最低仅为16-16-16-36,最高也不过19-19-19-39。
1955年5月17日,王安获得美国专利2,708,722号,其发明的磁性“脉冲传输控制装置”,使磁芯存储器成为现实。
磁芯存储器也称作铁氧体磁芯存储器(ferrite-core memory),是一种非易失性存储器(断电后存储的信息不会丢失),磁带、磁盘等磁存储设备基于同样的存储原理。
但是,对磁芯进行存取操作时无需旋转机械的帮助,其中存储的信息可以通过寻址线立即获得,存取速度自然要快很多,因此非常适合作内存使用。今天的半导体存储器芯片的存取管理模式与磁芯存储器完全相同,RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)一词正是为了说明磁芯存储器的特性才出现的。
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历史上的重大创举:道夫·弗罗曼的专利实现了EPROM革命!
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道夫·弗罗曼于1971年发明了EPROM并申请了专利。
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EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明,是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的(非挥发性)。它是一组浮栅晶体管,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。
通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
影驰盛大发布金属大师系列DDR4内存,震撼上市!
影驰2020年9月6日宣布,正式推全新的金属大师系列DDR4内存,出采用高级银灰色金属外观。 这也是显卡之后,影驰金属大师家族的第二个系列产品。
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金属大师DDR4内存搭配高品质铝合金冲压工艺打造的凹凸台阶面,整体视觉棱角分明,同时兼具细腻质感,再加上导热硅胶,散热也极为高效。内部为8层黑色哑面的PCB,稳固耐用,信号传输稳定无损耗。
内部为8层黑色哑面的PCB,稳固耐用,信号传输稳定无损耗。
精心挑选稳定的DRAM IC颗粒,单条容量8GB、16GB,频率均有2666MHz、3000MHz,对应时序和电压前者为19-19-19-43、1.2V,后者为16-18-18-38、1.35V。
炫赫HOF EXTREME内存直播开售,敲定时间只剩最后一天
HOF 名人堂系列是影驰最高端的产品线。这不仅仅源于其一直坚持使用白化的PCB和外观,还在于其对性能的高要求,从内存颗粒到超频性能都是市面上顶级水平的。而这次HOF EXTREME的升级之处也在于其使用了最新的三星B-Die颗粒,带来更强悍的超频能力,同时经典的10层PCB也得以保留,电信号之间干扰更少,电气性能更好,更加利于极限超频。
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相比2018年旧款,新版HOF EXTREME内存采用陶瓷白镜面,还原陶瓷温润质感,边缘CNC切割处理。移除了“Extreme Performance”的镭雕字样,整体视觉更加简约。
其采用2毫米厚的铝质散热马甲紧贴内存颗粒,单条容量8GB,配合顶部大面积的多锯齿状散热鳍片,提供高效的被动散热。
内存颗粒优选大名鼎鼎的三星B-Die,搭配升级的10层加强版白色A2 PCB,除了有更好的电气布局外,还带有专属的名人堂LOGO。
频率方面,在旧版3600MHz、4000MHz两种频率基础上,又新增了4266MHz、4400MHz两种超高频率,时序则进一步升级和优化,最低仅为16-16-16-36,最高也不过19-19-19-39。
王安成功申请磁芯储存器专利:创新科技突破揭开新篇章!
1955年5月17日,王安获得美国专利2,708,722号,其发明的磁性“脉冲传输控制装置”,使磁芯存储器成为现实。
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在铁氧体磁环里穿进一根导线,导线中流过不同方向的电流时,可使磁环按两种不同方向磁化,代表“1”或“0”的信息便以磁场形式储存下来。 美籍华人王安博士利用这一思想研制的“脉冲传输控制装置(Pulse transfer controlling device)”于1949年申请了美国专利,开创了磁芯存储器时代。磁芯存储器也称作铁氧体磁芯存储器(ferrite-core memory),是一种非易失性存储器(断电后存储的信息不会丢失),磁带、磁盘等磁存储设备基于同样的存储原理。
但是,对磁芯进行存取操作时无需旋转机械的帮助,其中存储的信息可以通过寻址线立即获得,存取速度自然要快很多,因此非常适合作内存使用。今天的半导体存储器芯片的存取管理模式与磁芯存储器完全相同,RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)一词正是为了说明磁芯存储器的特性才出现的。
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